1、適用晶圓尺寸：8吋及以下；

2、對準及套刻精度：±500nm；

3、直寫速度(mm²/min)：≥40@1μm；

4、光刻光源波長：405nm；

5、光刻光源功率：960mW；

6、數(shù)據(jù)格式：GDSII、BMP、DXF；

7、曝光模式：步進式曝光、灰度曝光 、激光拖曳曝光；

8、線性位移電機步進精度：≤100nm；

9、運動軸：配備 X、Y、Z 三維直流線性位移電機，運動平臺具有X/Y/θ方向；

10、電源：AC220V/50Hz，800W；

11、機器重量：750kg；

12、機器外形尺寸：D1140mm×W780mm×H1812mm。